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首先，项线路构建带有属性标注的材料片段模型（PLMF）：将材料的晶体结构分解为相互关联的拓扑片段，表示结构的连通性。作者进一步扩展了其框架，变量以提取硫空位的扩散参数，变量并分析了与由Mo掺杂剂和硫空位组成的不同配置的缺陷配合物之间切换相关的转换概率，从而深入了解点缺陷动力学和反应（图3-13）。图3-7 单个像素处压电响应的磁滞回线：电容原始数据（蓝色圆圈），传统拟合曲线（红线）和降噪处理后的曲线（黑线）
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研究人员将此效应命名为纳米带磁性的magicnumber，变量并基于此效应设计了一种调控纳米带宽度而形成的边缘铁磁性交替稳定存在的新型自旋电子学器件原型。图5磁性、电容结构和能量特性对NZ（偶数或奇数）的敏感依赖性（a）1T-MoS2NRs的磁矩随NZ的变化周期性振荡图。
图4边缘重建稳定Mo边缘的FM状态（a）在Mo边缘处具有FM，伏安NM和AFM状态的切割AS-NR（NZ=8）的自旋电荷分布和相对总能量分布图;（b）重建后自旋电荷分布和相对总能量图。宁夏年计这种磁性对NR宽度的敏感依赖性可以为单层1T-MoS2NR中的信息存储和自旋电子应用开辟新的机会。